SuperFET
III MOSFET是安森美半導體的全新高壓超結（SJ）MOSFET系列，利用均衡技術實現出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進的技術可以最大限度地減少傳導損耗，提供更高的開關性能，并承受極高的dv / dt速率。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電力系統。 700 V @ T = 150°C 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 248 pF） 超低柵極電荷（典型值Qg = 24 nC） 優化電容 內部柵極電阻：8.7ohm 典型值。 R =222mΩ 100％雪崩測試 符合RoHS