This MOSFET has been designed to minimize
the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain
superior switching performance, making it ideal
for high efficiency power management
applications.
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VDS(V) 60
- ID（A） 0.3
- VGS（±V） 20
- Vgs Typ（V） 1.3
- 10VTyp (V) 1800
- 4.5VTyp(V 2300
- 封裝形式 SOT-23
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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