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ON Semiconductor

H11AA814A3S

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H11AA814A3S 器件參數

Function

  • 集電極電流
    50 mA
  • 集電極發射極飽和電壓
    200 mV
  • 集電極-發射極電壓
    70 V
  • 隔離電壓
    5 kV
  • 通道數量
    1
  • 輸出電壓
    70 V
  • 電流傳遞比
    150 %
  • 每個通道的輸出電流
    50 mA
  • 正向電流
    50 mA
  • 正向電壓
    1.2 V
  • 回路數量
    1
  • 功率耗散
    200 mW
  • 元件數量
    1
  • 下降時間
    18 μs
  • 上升時間
    18 μs

Physical

  • 引腳數
    4
  • 工作溫度
    -55 °C, 100 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 制造商封裝
    SMD4

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free

H11AA814A3S 數據手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip

H11AA814A3S 圖片

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