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      ON Semiconductor

      H11A1FM

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      Function

      • 集電極發射極飽和電壓
        400 mV
      • 集電極-發射極電壓
        400 mV
      • 隔離電壓
        5.3 kV
      • 通道數量
        1
      • 輸出電壓
        30 V
      • 回路數量
        1
      • 功率耗散
        250 mW
      • 上升時間
        2 μs

      Physical

      • 引腳數
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 100 °C
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        PDIP

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      H11A1FM 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • H11A1FM
        1年前
        Huaqiu Chip

      H11A1FM 圖片

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