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      ON Semiconductor

      H11B815W

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      H11B815W 器件參數

      Function

      • 集電極電流
        80 mA
      • 集電極發射極飽和電壓
        1 V
      • 集電極-發射極電壓
        35 V
      • 隔離電壓
        5 kV
      • 通道數量
        1
      • 輸出電壓
        35 V
      • 電流傳遞比
        7500 %
      • 每個通道的輸出電流
        80 mA
      • 正向電流
        50 mA
      • 正向電壓
        1.5 V
      • 回路數量
        1
      • 反向擊穿電壓
        6 V
      • 功率耗散
        250 mW
      • 元件數量
        1
      • 下降時間
        250 μs
      • 上升時間
        300 μs

      Physical

      • 引腳數
        4
      • 工作溫度
        -55 °C, 100 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        PDIP

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      H11B815W 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      H11B815W 圖片

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