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ON Semiconductor

HGTG12N60C3D

Single Igbt, 600V, 24A; Collector Current:24A; Power Dissipation:104W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes

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HGTG12N60C3D 器件參數

Function

  • 額定電流
    24 A
  • 額定電壓
    600 V
  • 集電極電流
    24 A
  • 集電極發射極飽和電壓
    1.65 V
  • 集電極-發射極電壓
    600 V
  • 集電極-發射極擊穿電壓
    600 V
  • 配置
    Single
  • 柵極電荷
    48 nC
  • 反向恢復時間
    42 ns
  • 功率耗散
    104 W

Physical

  • 重量
    0.225401 oz
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    3
  • 工作溫度
    -40 °C, 150 °C
  • 安裝方式
    Through Hole
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數量
    30
  • 制造商封裝
    TO-247-3

Compliance

  • 無鉛
    Lead Free
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    20.82 mm
  • 長度
    15.87 mm
  • 寬度
    4.82 mm

HGTG12N60C3D 數據手冊

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  • HGTG12N60C3D
    1年前
    Huaqiu Chip

HGTG12N60C3D 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

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