基于NP60P012D3的12V p通道增強模式MOSFET
描述
NP60P012D3采用了先進的戰壕提供優良的RDS(ON)和低柵極技術電荷。它可以用于各種各樣的應用。
一般特征
- VDS = -12v, id = -60a
RDS(上)(Typ) = 4.8Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 6.3Ω@VGS = -2.5 v
- 高密度電池設計超低Rdson
- 充分描述雪崩電壓和電流
- 穩定性好，均勻性好，EAS高
- 優秀的包裝，良好的散熱
- 高ESD能力的特殊工藝技術
- 100% ui測試
- 應用程序
- 汽車應用程序
- 硬開關和高頻電路
- 不間斷電源包
- PDFN3.3 8 * 3.3 l
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
注:1:東亞峰會測試:VDD = 8 v, RG = 25歐姆,L = 500哦
2:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns，占空比≦2%。
3:設計保證，不經生產檢驗。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
單片機
+關注
關注
6044文章
44648瀏覽量
640090 -
MOSFET
+關注
關注
147文章
7315瀏覽量
214812
發布評論請先 登錄
相關推薦
NP90P012D6 12V p通道增強模式MOSFET概述
NP90P012D6采用了先進的溝槽技術提供優良的RDS(ON)，本設備適用于用作負載開關或PWM應用。
NP40P012D3 12V p通道增強模式MOSFET
描述 NP40P012D3采用先進的戰壕提供優良的RDS(ON)和低柵極技術電荷。它可以用于各種各樣的應用。 一般特征 ?VDS = -12v, id = -40a RDS(上)(Typ
NP1216DR 12V p通道增強模式MOSFET
描述 NP1216DR采用了先進的溝槽技術 提供優良的RDS(ON)，低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負載開關或PWM 應用程序。 一般特征 ?VDS = -12v, id
NP60P02D6 20V p通道增強模式MOSFET
描述 NP60P02D6采用了先進的溝槽技術 提供優良的RDS(ON)，本設備適用于 用作負載開關或PWM應用。 一般特征 ?VDS = -20v id = -60a RDS(上)(Typ
NP60P02G 20V p通道增強模式MOSFET
描述 NP60P02G采用了先進的溝槽技術 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 較低的門 電荷。它可以用于各種各樣的應用。 ?VDS = -20v id R = -60 DS(上)(Typ
HAT1093C 數據表(-12V -3A Silicon P Channel MOSFET / Power Switching)
HAT1093C 數據表 (-12V -3A Silicon P Channel MOSFET / Power Switching)
發表于 03-30 18:57
?0次下載
HAT1093C 數據表(-12V -3A Silicon P Channel MOSFET / Power Switching)
HAT1093C 數據表 (-12V -3A Silicon P Channel MOSFET / Power Switching)
發表于 07-12 20:31
?0次下載
60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數據手冊
電子發燒友網站提供《60 V，P溝道溝槽MOSFET BUK9D120-60P數據手冊.pdf》資料免費下載
發表于 02-20 10:02
?0次下載
工商網監
評論