NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
1.描述
NP3P06MR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)并設(shè)計(jì)為低門極提供優(yōu)秀的RDS（ON）沖鋒。可用于負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)申請。
2.一般特征
* VDS=-60V，ID=-3A
RDS（開）（典型值）=123.5 mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)（典型值）=160 mΩ@VGS=-4.5V
* 高功率和電流處理能力
* 獲得無鉛產(chǎn)品
* 表面貼裝封裝
3.應(yīng)用程序
* 電池保護(hù)
* 負(fù)荷開關(guān)
4.包裝
SOT-23-3L
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
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