描述
NP40P012D3采用先進的戰(zhàn)壕提供優(yōu)良的RDS(ON)和低柵極技術(shù)電荷。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。
一般特征
?VDS = -12v, id = -40a
RDS(上)(Typ) = 6.9Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 9.3Ω@VGS = -2.5 v
?高密度電池設(shè)計超低Rdson
?充分描述雪崩電壓和電流
?穩(wěn)定性好,均勻性好,EAS高
?優(yōu)秀的包裝,良好的散熱
?高ESD能力的特殊工藝技術(shù)
?100% ui測試
應(yīng)用程序
?汽車應(yīng)用程序
?硬開關(guān)和高頻電路
?不間斷電源包
?PDFN3.3 8 * 3.3 l

訂購信息

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

注:1:東亞峰會測試:VDD = 6 v, RG = 25歐姆,L = 500哦
2:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns,占空比≦2%。
3:設(shè)計保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗。
審核編輯:符乾江
-
單片機
+關(guān)注
關(guān)注
6067文章
44982瀏覽量
650267 -
脈沖
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
901瀏覽量
97268
發(fā)布評論請先 登錄
AP3P10MI 永源微100V p溝道增強模式MOSFET
ZSKY-3401-3A SOT-23 P溝道增強型MOSFET規(guī)格書
ZSKY-3401-4.2A SOT-23-3L P溝道增強型MOSFET規(guī)格書
CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護技術(shù)手冊

LT9435ASQ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
LT8818EFXT 12V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書
UA10-220S05V3P2D UA10-220S05V3P2D

UA10-220S5V3P2D UA10-220S5V3P2D

DA10-220S3V3P2D4 DA10-220S3V3P2D4

LT40P150FJC P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
LT7407FL P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
LT7409FL-YH P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
LT7409FJ P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
LT7409FJ-X P溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書
LM3D50P02 MOSFET:專為電子煙優(yōu)化的高性能選擇

評論