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      Nexperia

      BAS16W,115

      DIODE GEN PURP 100V 175MA SOT323

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      BAS16W,115 器件參數

      Function

      • 正向電流
        175 mA
      • 正向電壓
        1.25 V
      • 最大正向浪涌電流(Ifsm)
        4 A
      • 峰值反向電壓
        100 V
      • 容值
        1.5 pF
      • 反向電壓
        100 V
      • 反向漏電流
        500 nA
      • 反向恢復時間
        4 ns
      • 功率耗散
        200 mW
      • 二極管配置
        單路

      Physical

      • 工作溫度
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        3000pcs
      • 制造商封裝
        SOT-323-3

      Compliance

      • 無鉛
        Yes

      BAS16W,115 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      BAS16W,115 數據手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • BAS16_SER_Nexperia.pdf
        1年前
        Huaqiu Chip

      BAS16W,115 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Digikey

        Digikey

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