產品
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CGH40006P氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 14:14
產品型號：CGH40006P 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益 PIN：PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W 電壓：28 V 操作 -
CGH40006S-AMP1高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-18 12:02
產品型號：CGH40006S-AMP1 頻率：高達 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益 PIN：PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W 電壓：28 伏操作 -
CGH40006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 11:55
產品型號：CGH40006S 頻段：高達 6 GHz 增益：2.0 GHz 時 13 dB 小信號增益 增益：6.0 GHz 時 11 dB 小信號增益 PIN：PIN = 32 dBm 時典型值為 8 W 電壓：28 伏 -
CGHV1F006S-AMP3高電子遷移率晶體管 (HEMT)X波段測試板2022-05-18 11:14
產品型號：CGHV1F006S-AMP3 頻段：高達 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 增益：6.0 GHz 時 17 dB 增益 增益：9.0 GHz 時 15 dB 增益 校正：可應用高度 APD 和 DPD 校正 -
CGHV1F006S-AMP1高電子遷移率晶體管 (HEMT)C波段測試板2022-05-18 11:01
產品型號：CGHV1F006S-AMP1 頻率：高達 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 6.0 GHz增益：17 dB 9.0 GHz 增益：15 dB 可應用校正：可應用高度 APD 和 DPD 校正 -
CGHV1F006S高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 10:42
產品型號：CGHV1F006S 頻率：高達 15 GHz 的操作 輸出功率：8 W 典型輸出功率 6.0 GHz增益：6.0 GHz 時 17 dB 增益; 9.0 GHz增益：9.0 GHz 時 15 dB 增益 校正：可應用高度 APD 和 DPD 校正 -
CMPA0060002D氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-05-18 10:06
產品型號：CMPA0060002D 增益：17 dB 小信號增益 工作電壓：2 W 典型 PSAT 工作電壓高達 28 V 電壓：高擊穿電壓 操作：高溫操作 尺寸：尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸 -
CMPA0060002F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-05-18 09:44
產品型號：CMPA0060002F-AMP 增益：18 dB 小信號增益 工作電壓：4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達 28 V 耐壓性：高擊穿電壓 環境：高溫操作 測試件尺寸：0.5" x 0.5" 產品總尺寸 -
CMPA0060002F晶體管 (HEMT)2022-05-17 18:34
產品型號：CMPA0060002F 增益：18 dB 小信號增益 工作電壓：4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達 28 V 電壓特性：高擊穿電壓 環境：高溫操作 尺寸：0.5" x 0.5" 產品總尺寸 -
CMPA0060002F1-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)2022-05-17 12:09
產品型號：CMPA0060002F1-AMP 增益：18 dB 小信號增益 電壓：4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達 28 V 耐壓性：高擊穿電壓 操作環境：高溫操作 尺寸規格：0.5" x 0.5" 產品總尺寸