Qorvo QPD2120D 1200μm分立式GaAs pHEMT

Qorvo QPD2120D 1200μm 分立式GaAs pHEMT（假晶高電子遷移率晶體管）的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下，QPD2120D的輸出功率為31dBm（P1dB時），增益為11.5dB，功率附加效率為57%（1dB壓縮時）。得益于該性能，QPD2120D適合用于高效率應用。

QPD2120D設計采用0.25μm功率pHEMT生產工藝。該工藝在高漏極偏置工作條件下通過先進的技術優化微波功率和效率。

Qorvo QPD2120D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸片。該器件采用帶氮化硅的保護層，可提供環境穩健性和防刮痕保護。

特性

頻率范圍：直流至20GHz

P1dB輸出功率：31dBm（典型值）

增益：11dB（12GHz時典型值）

PAE：57%（12GHz時典型值）

噪聲系數：1dB（12GHz時典型值）

漏極電壓：8V

漏極電流：194mA

0.25μm GaAs pHEMT技術

裸片尺寸：0.41mm x 0.54mm x 0.10mm

無鹵、無鉛、符合RoHS指令

應用

通信

雷達

點對點無線電

衛星通信