Q MEMS差分振蕩器YSO210PR 644.5MHZ 3.3V FS±50PPM -40~85℃ LVDS OA8EIB112-644.5M

差分晶振晶體振蕩器有源晶振

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

YXC-YSO210PR-datesheet V2.0 (240131).pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

*可編程差分振蕩器

*10-1500MHz超寬頻率范圍，頻率任意編程，并精確輸出到小數(shù)點(diǎn)后6位

*交期靈活

*可編程晶振不僅交期具有優(yōu)勢(shì)，就頻率而言，可編程晶振更是擁有靈活的可編程性質(zhì)

*應(yīng)用領(lǐng)域：智能視覺(jué)控制器、工業(yè)屏、望遠(yuǎn)鏡、富士打印機(jī)、電腦顯卡、大數(shù)據(jù)量的計(jì)算機(jī)或者板卡、硬盤(pán)、服務(wù)器防火墻設(shè)備、10 GB以太網(wǎng)、SONET、SATA、SAS、光纖通道、高清SDI等

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產(chǎn)品文章資料

Q MEMS石英溫補(bǔ)晶振YSO511PJ 100MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-100M2024-08-29 14:30

產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 33.33MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-33.33M2024-08-29 14:28

產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 40MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-40M2024-08-29 14:26

產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 80MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-80M2024-08-29 14:23

產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 10MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-10M2024-08-29 14:20

產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
表晶YSX146GA 32.768KHZ 6PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KID4GI2024-08-29 14:17

產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 7PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KJD4GI2024-08-29 14:14

產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 9PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KLD4GI2024-08-28 10:06

產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±10PPM -40~85℃ X701532768KGB4GI2024-08-28 09:59

產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±20PPM -40~85℃ XKYGI-SUG-32.768K2024-08-28 09:56

產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC

Deepseek等AI巨頭趨勢(shì)下，光收發(fā)模塊年增長(zhǎng)率高達(dá)56.5%2025-02-20 18:34

晶振，即石英晶體振蕩器，是電子設(shè)備中用于產(chǎn)生穩(wěn)定振蕩信號(hào)的元件。在光模塊中，晶振的主要作用是提供高精度的時(shí)鐘信號(hào)和頻率控制，確保光模塊在高速傳輸時(shí)保持穩(wěn)定性和可靠性。晶振的性能直接影響光模塊的傳輸速率、傳輸距離、功耗和體積等關(guān)鍵參數(shù)。

光模塊差分晶振晶振有源晶振
221瀏覽量
高精度時(shí)間管理的完美搭檔：YSN8563 RTC與32.768kHz晶振的協(xié)同設(shè)計(jì)2025-02-18 14:33

YSN8563與32.768kHz晶振組成的時(shí)鐘方案，能夠在低功耗條件下實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的時(shí)間控制，適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、汽車(chē)電子、遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)、智能電表及醫(yī)療設(shè)備等各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景。該方案有效提升系統(tǒng)的能效、準(zhǔn)確性和安全性，促進(jìn)相關(guān)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

32.768KHz RTC 實(shí)時(shí)時(shí)鐘晶振
192瀏覽量
兩個(gè)不同頻率晶振靠的近會(huì)怎樣2025-01-20 13:55

晶振的振蕩本質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng)（在壓電晶體層面）。當(dāng)兩個(gè)晶振靠得很近時(shí)，它們的機(jī)械振動(dòng)可能會(huì)相互影響。一個(gè)晶振的振動(dòng)可能會(huì)通過(guò)電路板或者外殼等介質(zhì)傳遞給另一個(gè)晶振，從而改變另一個(gè)晶振的振動(dòng)特性。

原子鐘揚(yáng)興科技晶體振蕩器晶振
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科普知識(shí)丨晶振的頻率和振幅、品質(zhì)因數(shù)之間的關(guān)系2025-01-16 16:27

晶振的頻率和振幅是兩個(gè)獨(dú)立的參數(shù)，它們之間沒(méi)有直接的固定關(guān)系。但在實(shí)際應(yīng)用中，它們會(huì)相互影響并共同決定晶振的性能和應(yīng)用場(chǎng)景。因此，在選擇晶振時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求來(lái)綜合考慮這兩個(gè)參數(shù)以及其他相關(guān)因素。

揚(yáng)興科技晶體振蕩器晶振
1154瀏覽量
晶振在電路中的作用2025-01-14 17:58

數(shù)字電路的同步基準(zhǔn)，保持頻率準(zhǔn)確性，協(xié)調(diào)不同模塊的工作，產(chǎn)生多種頻率信號(hào)，提供精確的時(shí)間基準(zhǔn)

RTC 實(shí)時(shí)時(shí)鐘晶振電路
923瀏覽量
晶振在工業(yè)相機(jī)中的應(yīng)用2025-01-07 19:02

在工業(yè)相機(jī)的各個(gè)模塊中，晶體振蕩器（晶振）起到提供精確時(shí)鐘信號(hào)的作用，主要用來(lái)確保系統(tǒng)中的各個(gè)部分能夠同步運(yùn)作，保證信號(hào)的穩(wěn)定和正確處理。不同模塊對(duì)晶振的頻率、精度、溫度穩(wěn)定性等參數(shù)有不同的要求。

工業(yè)相機(jī) 差分晶振晶振有源晶振溫補(bǔ)晶振
1293瀏覽量
YXC知識(shí)科普 | 晶振外接2顆電容的3個(gè)好處2024-12-31 15:09

晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容，即晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic輸入端的對(duì)地電容。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。

內(nèi)部電路揚(yáng)興科技無(wú)源晶振晶振
1111瀏覽量
可編程晶振的關(guān)鍵技術(shù)——鎖相環(huán)原理講解2024-12-30 14:33

揚(yáng)興科技的可編程晶振利用鎖相環(huán)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了核心參數(shù)的隨意編程定制。這意味著客戶可以根據(jù)具體需求，在1MHz~2100MHz的寬頻率范圍內(nèi)（精確至小數(shù)點(diǎn)后六位）選擇任意頻點(diǎn)進(jìn)行定制。

可編程揚(yáng)興科技晶振鎖相環(huán)
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24mhz無(wú)源晶振作用2024-12-26 16:22

24MHz 無(wú)源晶振為 CPU、GPU、內(nèi)存等組件提供統(tǒng)一的時(shí)鐘基準(zhǔn)，確保它們按照精確的節(jié)奏協(xié)同工作，使數(shù)據(jù)的傳輸、處理和存儲(chǔ)能夠有條不紊地進(jìn)行。

揚(yáng)興科技無(wú)源晶振晶振
1048瀏覽量
晶振行業(yè)小型化趨勢(shì)：3225及更小尺寸晶體2024-12-20 16:21

主流晶振通常分為兩種封裝形式：貼片式與直插式。貼片式晶振相較直插式晶振體積更小，更廣泛應(yīng)用于智能化電子產(chǎn)品。目前通常采用3225（3.2*2.5mm）及以下尺寸的貼片式晶振。

無(wú)源晶振晶體晶振
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