*2016、4P貼片金屬封裝、晶體諧振器
*陶瓷焊縫工藝制作
*高精度、高頻率穩(wěn)定性、可靠性
*低功耗、低抖動(dòng) 超小超薄
*降低電磁干擾（EMI）影響
*優(yōu)良的耐環(huán)境特性，可達(dá)工業(yè)級(jí)溫度
*滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求
*符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保
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Q MEMS石英溫補(bǔ)晶振YSO511PJ 100MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-100M2024-08-29 14:30
產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 33.33MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-33.33M2024-08-29 14:28
產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 40MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-40M2024-08-29 14:26
產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 80MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-80M2024-08-29 14:23
產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 10MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-10M2024-08-29 14:20
產(chǎn)品型號(hào)：YSO511PJ 標(biāo)稱(chēng)頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050 -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 6PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KID4GI2024-08-29 14:17
產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 7PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KJD4GI2024-08-29 14:14
產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 9PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KLD4GI2024-08-28 10:06
產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±10PPM -40~85℃ X701532768KGB4GI2024-08-28 09:59
產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC -
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±20PPM -40~85℃ XKYGI-SUG-32.768K2024-08-28 09:56
產(chǎn)品型號(hào)：YSX146GA 標(biāo)稱(chēng)頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
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Deepseek等AI巨頭趨勢(shì)下，光收發(fā)模塊年增長(zhǎng)率高達(dá)56.5%2025-02-20 18:34
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高精度時(shí)間管理的完美搭檔：YSN8563 RTC與32.768kHz晶振的協(xié)同設(shè)計(jì)2025-02-18 14:33
YSN8563與32.768kHz晶振組成的時(shí)鐘方案，能夠在低功耗條件下實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的時(shí)間控制，適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、可穿戴設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、汽車(chē)電子、遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)、智能電表及醫(yī)療設(shè)備等各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景。該方案有效提升系統(tǒng)的能效、準(zhǔn)確性和安全性，促進(jìn)相關(guān)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。205瀏覽量 -
兩個(gè)不同頻率晶振靠的近會(huì)怎樣2025-01-20 13:55
晶振的振蕩本質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng)（在壓電晶體層面）。當(dāng)兩個(gè)晶振靠得很近時(shí)，它們的機(jī)械振動(dòng)可能會(huì)相互影響。一個(gè)晶振的振動(dòng)可能會(huì)通過(guò)電路板或者外殼等介質(zhì)傳遞給另一個(gè)晶振，從而改變另一個(gè)晶振的振動(dòng)特性。1128瀏覽量 -
科普知識(shí)丨晶振的頻率和振幅、品質(zhì)因數(shù)之間的關(guān)系2025-01-16 16:27
晶振的頻率和振幅是兩個(gè)獨(dú)立的參數(shù)，它們之間沒(méi)有直接的固定關(guān)系。但在實(shí)際應(yīng)用中，它們會(huì)相互影響并共同決定晶振的性能和應(yīng)用場(chǎng)景。因此，在選擇晶振時(shí)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求來(lái)綜合考慮這兩個(gè)參數(shù)以及其他相關(guān)因素。1156瀏覽量 -
晶振在電路中的作用2025-01-14 17:58
數(shù)字電路的同步基準(zhǔn)，保持頻率準(zhǔn)確性，協(xié)調(diào)不同模塊的工作，產(chǎn)生多種頻率信號(hào)，提供精確的時(shí)間基準(zhǔn)927瀏覽量 -
晶振在工業(yè)相機(jī)中的應(yīng)用2025-01-07 19:02
在工業(yè)相機(jī)的各個(gè)模塊中，晶體振蕩器（晶振）起到提供精確時(shí)鐘信號(hào)的作用，主要用來(lái)確保系統(tǒng)中的各個(gè)部分能夠同步運(yùn)作，保證信號(hào)的穩(wěn)定和正確處理。不同模塊對(duì)晶振的頻率、精度、溫度穩(wěn)定性等參數(shù)有不同的要求。1294瀏覽量 -
YXC知識(shí)科普 | 晶振外接2顆電容的3個(gè)好處2024-12-31 15:09
晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容，即晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic輸入端的對(duì)地電容。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。1113瀏覽量 -
可編程晶振的關(guān)鍵技術(shù)——鎖相環(huán)原理講解2024-12-30 14:33
揚(yáng)興科技的可編程晶振利用鎖相環(huán)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了核心參數(shù)的隨意編程定制。這意味著客戶(hù)可以根據(jù)具體需求，在1MHz~2100MHz的寬頻率范圍內(nèi)（精確至小數(shù)點(diǎn)后六位）選擇任意頻點(diǎn)進(jìn)行定制。329瀏覽量 -
24mhz無(wú)源晶振作用2024-12-26 16:22
24MHz 無(wú)源晶振為 CPU、GPU、內(nèi)存等組件提供統(tǒng)一的時(shí)鐘基準(zhǔn)，確保它們按照精確的節(jié)奏協(xié)同工作，使數(shù)據(jù)的傳輸、處理和存儲(chǔ)能夠有條不紊地進(jìn)行。1054瀏覽量 -
晶振行業(yè)小型化趨勢(shì)：3225及更小尺寸晶體2024-12-20 16:21
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