105N04N-VB是一款DFN8(3X3)封裝的單N溝道MOSFET。它具有40V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），和2.5V的閾值電壓（Vth）。在不同的柵極-源極電壓下，其導通電阻（RDS(ON)）分別為6mΩ（@VGS=4.5V）和4.5mΩ（@VGS=10V），最大漏極電流（ID）為40A。這款MOSFET采用槽溝技術制造。

以下是關于105N04N-VB的詳細參數說明：

- **封裝類型（Package）**：DFN8(3X3)
- **器件類型（Configuration）**：單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）**：40V
- **柵極-源極電壓（VGS，±V）**：20V
- **閾值電壓（Vth）**：2.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：6mΩ @ VGS=4.5V, 4.5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：40A
- **技術**：槽溝

關于該產品在哪些領域和模塊上的應用，以下是一些例子：

1. **電源模塊**：由于其較高的漏極-源極電壓和較大的漏極電流，105N04N-VB適用于開關電源和變換器等電源模塊。
2. **電動汽車**：在電動汽車的電動驅動系統中，這款MOSFET可以用作逆變器的關鍵部件，實現電池供電轉換為電動機驅動。
3. **工業控制**：在需要高功率和高效率的工業控制系統中，105N04N-VB可以用作開關器件，用于馬達控制和電源管理。
4. **LED照明**：在需要高功率和高亮度的LED照明系統中，這款MOSFET可以用于LED驅動器中的開關器件。

這些只是一些例子，實際上，105N04N-VB可以適用于需要中等電壓、高電流、低導通電阻的各種應用場景。