描述

OP275是一款采用巴特勒放大器前端的放大器。這種新型前端設(shè)計(jì)集雙極性與JFET晶體管于一體，兼有雙極性晶體管的精度和低噪聲性能，以及JFET晶體管的速度和音質(zhì)。總諧波失真+噪聲(THD+N)與以前的音頻放大器相當(dāng)，但電源電流低得多。

l/f轉(zhuǎn)折頻率低于6 Hz，因而噪聲密度響應(yīng)很平坦。無論在30 Hz還是1 kHz測量噪聲，其值僅為6 nV/√Hz。即使在需要較大輸出擺幅時(shí)，輸入級的JFET部分也能使OP275具有高壓擺率，從而保持低失真。該器件的壓擺率為22 V/μs，在所有標(biāo)準(zhǔn)音頻放大器中最快。最可喜的是，實(shí)現(xiàn)這種低噪聲和高速性能所耗用的電源電流不到5 mA，低于所有標(biāo)準(zhǔn)音頻放大器。

相對于純雙極性設(shè)計(jì)，偏置和失調(diào)電流大大降低，從而改善了直流性能。輸入失調(diào)電壓能保證達(dá)到1 mV，通常低于200 μV。因此OP275可以用在許多直流耦合或求和應(yīng)用中，無需進(jìn)行特別選擇，或者因采用附加失調(diào)電壓調(diào)整電路而增加噪聲。

驅(qū)動600 Ω負(fù)載時(shí)輸出電壓達(dá)10 V rms，同時(shí)保持低失真。3 V rms時(shí)總諧波失真+噪聲低至0.0006%。

OP275的額定溫度范圍為-40°C至+85°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。OP275提供塑封DIP和SOIC-8兩種封裝。SOIC-8封裝以2500片卷盤形式提供。出于各種原因，許多音頻放大器都不提供SOIC-8表貼封裝；不過，OP275經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，采用表貼封裝也能提供高性能。

 

特性

? 出色的聲學(xué)特性

? 低噪聲： 6 nV/√Hz

? 低失真：0.0006%

? 高壓擺率： 22 V/μs

? 寬帶寬： 9 MHz

? 低電源電流： 5 mA

? 低失調(diào)電壓： 1 mV

? 低失調(diào)電流： 2 nA

? 單位增益穩(wěn)定

? SOIC-8封裝

? PDIP-8封裝