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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)、技術(shù)方案服務(wù)及銷售一體的技術(shù)公司

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G2061Q 250V 1.5A 三相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動(dòng)芯片

型號(hào)： G2061Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號(hào) G2061Q

--- 產(chǎn)品詳情 ---

G2061Q 250V 1.5A三相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片

 

一、產(chǎn)品概述

G2061Q是一組高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片，采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動(dòng)電路可以單芯片集成。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。G2061Q邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力，和防直通的死區(qū)邏輯。G2061Q 浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá)250V。G2061Q為QFN24 封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。

二、產(chǎn)品特性

自舉工作的浮地通道
最高工作電壓為+250V
兼容3.3/5V輸入邏輯
dVS/dt耐受能力可達(dá)±50V/ns
Vs負(fù)偏壓能力達(dá)-9V
柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍8V至20V
高、低側(cè)欠壓鎖定電路
-- 高側(cè)欠壓鎖定正向閾值 7.1V
-- 高側(cè)欠壓鎖定負(fù)向閾值 6.9V
-- 低側(cè)欠壓鎖定正向閾值 7V
-- 低側(cè)欠壓鎖定負(fù)向閾值 6.6V
防直通死區(qū)邏輯
-- 死區(qū)時(shí)間設(shè)定200ns
芯片傳輸延時(shí)特性
-- 開通/關(guān)斷傳輸延時(shí)Ton/Toff=150ns/120ns
-- 延遲匹配時(shí)間小于50ns
寬溫度范圍-40~125°C
輸出級(jí)拉電流/灌電流能力1.5A/1.8A
符合RoSH標(biāo)準(zhǔn)

三、應(yīng)用

電機(jī)控制

空調(diào)/洗衣機(jī)

通用逆變器

微型逆變器驅(qū)動(dòng)

四、封裝信息

 

 

 

 

五、簡(jiǎn)化示意圖

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