--- 產品參數 ---
- 型號 NSG10752
--- 產品詳情 ---
NSG10752 100V單相高側功率MOSFET/IGBT驅動芯片
一、概述
NSG10752是一款高壓、高速功率MOSFET高側驅動芯片NSG10752采用高低壓兼容工藝使得高側柵驅動電路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出具有大電流脈沖能力。NSG10752其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET,浮地通道最高工作電壓可達100V。NSG10752采用SOT23-6封裝,可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作。
二、產品特性
自舉工作的浮地通道
最高工作電壓為+100V
兼容3.3V, 5V和15 輸入邏輯
dVS/dt耐受能力可達±50V/ns
Vs負偏壓能力達-9V
柵極驅動電壓從10V到20V
集成欠壓鎖定電路
--欠壓鎖定正向閾值8.9V
--欠壓鎖定負向閾值8.2V
芯片傳輸延時特性
--開通/關斷傳輸延時Ton/Toff=130ns/130ns
--延遲匹配時間小于50ns
寬溫度范圍-40°C~125°C
輸出級拉電流/灌電流能力290mA/600m
符合RoSH標準
SOT23-6
三、應用
電機控制
空調/洗衣機
通用逆變器
微型逆變器驅動
四、封裝信息


五、簡化示意圖


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