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東莞市中銘電子

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NSG6003 650V 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片

型號： NSG6003

--- 產品參數 ---

  • 型號 NSG6003

--- 產品詳情 ---

NSG6003 650V單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片

 

 

一、概述

NSG6003是一款高壓、高速功率 MOSFET高低側驅動芯片。具有獨立的高側和低側參考輸出通道。NSG6003采用高低壓兼容工藝使得高、低側柵驅動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6003其浮動通道可用于驅動高壓側N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達600V。NSG6003采用SOP8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內工作。

 

二、產品特性

自舉工作的浮地通道
最高芯片耐壓為+650V
兼容 3.3V, 5V和15V輸入邏輯
dVS/dt 耐受能力可達±50 V/ns
Vs負偏壓能力達-9V
集成VCC、VBS欠壓鎖定電路
-- VCC 欠壓鎖定閾值 4.5V/4V
-- VBS 欠壓鎖定閾值 4.1V/3.6V
芯片傳輸延時特性
-- 開通/關斷傳輸延時Ton/Toff =250ns/150ns
-- 延遲匹配時間小于50ns
防止直通保護
-- 死區時間130ns
寬溫度范圍-40°C~125°C
符合RoSH標準
SOP8(S)

 

三、應用

電機控制

空調/洗衣機

通用逆變器

逆變器驅動

 

四、封裝信息

五、簡化示意圖

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