--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號 NSG6001
--- 產(chǎn)品詳情 ---
NSG6001 650V單相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片
一、概述
NSG6001是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。NSG6001采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路可以單芯片集成,邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG6001其浮動通道可用于驅(qū)動高壓側(cè)N溝道功率MOSFET,浮地通道最高工作電壓可達(dá)600V。NSG6001采用SOP8封裝,可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。
二、產(chǎn)品特性
自舉工作的浮地通道
最高芯片耐壓為+650V
兼容3.3V, 5V和15V輸入邏輯
dVS/dt耐受能力可達(dá)±50V/ns
Vs負(fù)偏壓能力達(dá)-9V
集成 VCC、VBS 欠壓鎖定電路
-- VCC 欠壓鎖定閾值 8.7V/7.7V
-- VBS 欠壓鎖定閾值 8.2V/7.3V
芯片傳輸延時特性
-- 開通/關(guān)斷傳輸延時Ton/Toff=350ns/150ns
-- 延遲匹配時間小于50ns
防止直通保護(hù)
-- 死區(qū)時間 130ns
寬溫度范圍-40°C~125°C
符合RoSH標(biāo)準(zhǔn)
SOP8(S)
三、應(yīng)用
電機(jī)控制
空調(diào)/洗衣機(jī)
通用逆變器
逆變器驅(qū)動
四、封裝信息
![](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/25/wKgZoWc3DtSAPybUAAAs2GGI_50931.png)
![](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/2D/wKgaoWc3DuOAY49wAAArFcAl8tE162.png)
五、簡化示意圖
![](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/25/wKgZoWc3DuOAAtpQAABRv8A0MPc517.png)
![](https://file1.elecfans.com/web1/M00/F5/2D/wKgaoWc3Dt2AOAs_AAA8HNg6M5c808.png)
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