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東莞市中銘電子

東莞市中銘電子是一家從事半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)、技術(shù)方案服務(wù)及銷售一體的技術(shù)公司

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NSG2106 700V 單相高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片

型號： NSG2106

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 NSG2106

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NSG2106 700V單相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片

 

一、概述

NSG2106是一款高壓、高速功率MOSFET高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。NSG2106采用高低壓兼容工藝使得高、低側(cè)柵驅(qū)動電路可以單芯片集成，邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平。NSG2106其浮動通道可用于驅(qū)動高壓側(cè)N溝道功率MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達700V。NSG2106采用SOIC8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作。

 

二、產(chǎn)品特性

自舉工作的浮地通道
最高工作電壓為+700V
兼容 3.3V, 5V和15V輸入邏輯
dVS/dt 耐受能力可達±50V/ns
Vs負偏壓能力達-9V
集成VCC、VBS欠壓鎖定電路
-- 欠壓鎖定正向閾值 8.9V
-- 欠壓鎖定負向閾值 8.2V
芯片傳輸延時特性
-- 開通/關(guān)斷傳輸延時Ton/Toff=130ns/130ns
-- 延遲匹配時間50ns
防止直通保護
-- 死區(qū)時間 100ns
寬溫度范圍-40°C~125°C
輸出級拉電流/灌電流能力 300mA/600mA
符合RoSH標準
SOIC8(S)

 

三、應(yīng)用

電機控制
空調(diào)/洗衣機
通用逆變器
逆變器

 

四、封裝信息

 

五、簡化示意圖

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