### 產品簡介
B29S50L-VB 是一款高電壓、高性能單極 N 通道 MOSFET，封裝為 TO263。采用 SJ_Multi-EPI 技術，這款 MOSFET 提供 500V 的漏極源極電壓（VDS）和 30A 的連續漏極電流（ID）。其導通電阻（RDS(ON)）在 VGS 為 10V 時為 140mΩ，適合于高電壓和高功率應用。閾值電壓（Vth）為 3.5V，VGS 范圍為 ±30V，保證了在極端電壓條件下的穩定性和可靠性。
### 詳細參數說明
- **型號**: B29S50L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 140mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 適用領域和模塊示例
B29S50L-VB 適用于以下領域和模塊：
1. **高電壓電源管理**: 在高電壓電源轉換器中使用，處理高電壓和高電流，確保系統的穩定運行和高效能。
2. **開關電源**: 適用于高電壓開關電源，作為開關元件，管理高電壓電流以保證系統的安全性和穩定性。
3. **功率逆變器**: 在功率逆變器系統中應用，幫助高效地將直流電源轉換為交流電，廣泛用于光伏發電和其他高功率應用。
4. **工業控制**: 在工業控制系統中作為高電壓開關，提供可靠的控制和保護功能，適合各種工業應用場景。
