### 產品簡介

**BRF1N60-VB** 是一款單通道 N 型 MOSFET，采用 TO220F 封裝，適用于高電壓應用。該器件具有高耐壓（650V）、低 RDS(ON)（1700mΩ）和較高的 VGS 操作范圍（±30V），使其在高電壓和高功率場景下表現出色。它的閾值電壓為 3.5V，最大漏極電流為 2A，使用了平面工藝技術，能夠提供穩定和可靠的性能。

### 詳細參數說明

- **型號**: BRF1N60-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **RDS(ON)**: 1700mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: 平面工藝 (Plannar)

### 應用領域和模塊

**BRF1N60-VB** 適用于以下領域和模塊：

1. **高壓開關電源**：其高漏極-源極耐壓使其在高電壓電源中非常適用，例如電源管理模塊和逆變器中。
2. **電機驅動**：用于電機驅動電路中，提供高電壓和高電流的開關控制。
3. **照明控制**：在LED照明控制電路中，用于調節和控制大功率燈具。
4. **功率調節模塊**：適用于功率調節電路，例如功率轉換器和調光器，提供可靠的高壓開關能力。
5. **電源保護**：用于保護電源電路，防止過電壓或過電流對電路造成損害。