**1. 產品簡介：**

BRF2N60-VB 是一款高電壓、低導通電阻的 N-Channel MOSFET，封裝為 TO220F。它采用了平面技術，具有優異的開關性能和高壓承受能力，適用于各種高壓應用場景。

**2. 詳細參數說明：**

- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1700mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 2A
- **技術**: 平面 (Plannar)

**3. 應用領域舉例：**

BRF2N60-VB 適用于高電壓開關電源、電機驅動電路、變頻器、LED 驅動電路和功率放大器等模塊。它在高壓控制和開關應用中表現出色，可以有效地處理高電壓和大電流，確保電路的穩定性和可靠性。