### 產品簡介

**BSC016N03LS G-VB** 是一款單通道 N 型 MOSFET，采用 DFN8(5x6) 封裝，專為低電壓和高電流應用設計。該器件具備極低的 RDS(ON)（1.8mΩ @ VGS=10V），可在高電流（160A）下有效減少功耗，適用于高性能開關電源和功率轉換器。其閾值電壓為 1.7V，并且具有 ±20V 的柵極-源極耐壓，確保在復雜應用環境下穩定工作。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSC016N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術**: 溝道工藝 (Trench)

### 應用領域和模塊

**BSC016N03LS G-VB** 適用于以下領域和模塊：

1. **高效電源管理**：其低 RDS(ON) 和高電流處理能力使其非常適合用于高效開關電源和 DC-DC 轉換器，提高能效和減少熱量。
2. **電機控制**：在電機驅動電路中提供高電流開關能力，適用于各種電動工具和家用電器。
3. **汽車電子**：用于汽車電源管理和負載開關，能夠處理高電流并提高系統穩定性。
4. **電池管理系統**：在電池充放電管理中，用于高電流開關，優化電池性能和延長使用壽命。
5. **數據中心電源**：在數據中心電源模塊中，減少功耗和提高效率，滿足高性能計算需求。