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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BSS138-7-F-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSS138-7-F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23-3
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**產品簡介:**
BSS138-7-F-VB 是一款 N-Channel MOSFET,封裝為 SOT23-3,適用于中等電壓的小型開關應用。該 MOSFET 的 VDS(漏極-源極最大電壓)為 60V,最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V,漏極電流 ID 達到 0.3A。其導通電阻 RDS(ON) 為 3100mΩ(在 VGS=4.5V 時)和 2800mΩ(在 VGS=10V 時),采用溝槽型工藝技術,適合用于低功耗、小型開關電路。

**詳細參數說明:**
- **封裝**: SOT23-3
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: 60V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V;2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 0.3A
- **技術**: 溝槽型工藝

**應用領域和模塊示例:**
1. **小型電源開關**:在低功耗和小型電源管理應用中,BSS138-7-F-VB 能夠用于高效的電源開關,適合于空間受限的設計,如便攜式電子設備和小型電源模塊。
2. **信號開關**:在低電流信號開關和控制電路中,該 MOSFET 可作為信號開關,適用于小型電子電路中的開關控制。
3. **過壓保護**:在需要中等電壓保護的應用中,BSS138-7-F-VB 可以用作過壓保護裝置,確保電子設備在過壓條件下的安全性。

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