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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSS670S2L-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSS670S2L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**BSS670S2L-VB** 是一款高壓?jiǎn)瓮ǖ?N 型 MOSFET,封裝形式為 SOT23-3。該器件設(shè)計(jì)用于中等電壓和低電流應(yīng)用,最大漏極電流為 0.3A,漏極-源極耐壓為 60V。具有較高的 RDS(ON)(2800mΩ @ VGS=10V),適合中等功率和低電流的開關(guān)應(yīng)用。其閾值電壓為 1.7V,柵極-源極耐壓為 ±20V,采用溝道工藝(Trench),提供穩(wěn)定的開關(guān)性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSS670S2L-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 60V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: 溝道工藝 (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**BSS670S2L-VB** 在以下領(lǐng)域和模塊中具有廣泛應(yīng)用:

1. **小型電源開關(guān)**:用于低功率電源開關(guān)和電源管理系統(tǒng),適合各種小型電子設(shè)備和低功耗電路。
2. **高壓開關(guān)**:在中等電壓應(yīng)用中提供開關(guān)控制,如小型電源適配器和中壓負(fù)載切換。
3. **信號(hào)切換**:適用于信號(hào)路徑切換和開關(guān)電路,適合音頻、視頻和數(shù)字信號(hào)處理。
4. **LED 驅(qū)動(dòng)**:在低功率 LED 驅(qū)動(dòng)電路中使用,提供高效的開關(guān)控制,適合低電流照明應(yīng)用。
5. **小型電子設(shè)備**:用于便攜式電子產(chǎn)品和低功耗設(shè)備的開關(guān)和控制功能,支持穩(wěn)定的操作和高效的電源管理。

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