--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 頻率范圍 1MHz ~ 50MHz
- 支持工作電壓 0.9V / 1.2V / 1.5V
- 低功耗 低工作電流0.9mA,待機(jī)電流100μA
- 單端輸出 CMOS
- RMS相位抖動(dòng) 0.3ps(12kHz~20MHz帶寬)
- 封裝 2.5×2.0mm
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品特點(diǎn)
2.5×2.0mm小封裝,符合RoHS與無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)
支持低電壓輸入:0.9V / 1.2V / 1.5V
頻率范圍:1MHz ~ 50MHz
低功耗:低工作電流0.9mA,待機(jī)電流100μA
單端輸出:CMOS邏輯
相位噪聲性能突出:
-135 dBc/Hz @1kHz offset
-143 dBc/Hz @10kHz offset
-150 dBc/Hz @100kHz offset
-155 dBc/Hz @1MHz offset
相位抖動(dòng)(RMS):低至0.3ps(12kHz~20MHz積分)
啟動(dòng)時(shí)間:max4ms
占空比:45% ~ 55%
支持Tri-State功能(引腳啟用/禁用控制)
年老化率:±3ppm(首年@25°C)
典型應(yīng)用
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(傳感器、無(wú)線模塊)
可穿戴設(shè)備(智能手表、健康監(jiān)測(cè)器)
游戲控制器、游戲主機(jī)
數(shù)碼相機(jī)、便攜式影像設(shè)備
智能手機(jī)與消費(fèi)類電子產(chǎn)品
設(shè)計(jì)建議
為確保晶體振蕩器性能,建議在Vdd與GND之間盡可能靠近器件布置一個(gè)0.1μF的旁路電容,用以濾除高頻噪聲,提升電源穩(wěn)定性。
封裝說(shuō)明
FCO-2C-UP采用2.5×2.0mm四引腳陶瓷封裝,適配主流SMT自動(dòng)貼裝工藝,符合環(huán)保RoHS標(biāo)準(zhǔn)。推薦焊盤(pán)尺寸請(qǐng)參考FCom富士晶振官網(wǎng)提供的布局資料。
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