MOT65R950GD

仁懋電子

型號： MOT65R950GD

品牌： MOT(仁懋電子)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

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產(chǎn)品文章資料

MOT65R950GF2025-06-09 14:06

產(chǎn)品型號：MOT65R950GF
MOT65R950GD2025-06-09 14:04

產(chǎn)品型號：MOT65R950GD
MOT65R950F2025-06-09 13:48

產(chǎn)品型號：MOT65R950F
MOT65R850GF2025-06-09 13:47

產(chǎn)品型號：MOT65R850GF
MOT65R850F2025-06-09 13:45

產(chǎn)品型號：MOT65R850F
MOT65R850E2025-06-04 10:53

產(chǎn)品型號：MOT65R850E
MOT65R550GD2025-06-04 10:51

產(chǎn)品型號：MOT65R550GD
MOT65R550D2025-06-04 10:45

產(chǎn)品型號：MOT65R550D
MOT65R380GF2025-05-23 10:11

產(chǎn)品型號：MOT65R380GF
MOT65R380GD2025-05-23 10:08

產(chǎn)品型號：MOT65R380GD

機器人動力革命！仁懋MOS如何破解BMS三大生死局？2025-06-10 17:36

機器人BMS的“高壓考場”當人形機器人奔跑負載超20kg，動力電池面臨極限挑戰(zhàn)：-瞬時電流沖擊：關(guān)節(jié)電機急停時脈沖電流＞200A，傳統(tǒng)MOS過熱燒毀風險激增；-空間枷鎖：BMS模塊需塞入關(guān)節(jié)腔體，散熱面積＜5cm2；-安全紅線：60V高壓電池組漏電流＞1mA即觸發(fā)安全停機。仁懋電子BMS專用MOS矩陣（MOT1124T/MOT1120T/MOT1113T），

bms MOS 仁懋電子
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仁懋TOLL/TOLT封裝系列區(qū)別在哪？2025-06-04 17:22

在工業(yè)應用對MOSFET需求日益攀升的當下，半導體封裝技術(shù)的革新成為關(guān)鍵。仁懋的TOLL和TOLT封裝系列作為TOLx封裝家族的重要成員，各自憑借獨特優(yōu)勢，在不同領(lǐng)域大放異彩。今天，我們就來深入探究這兩大封裝系列的顯著區(qū)別！散熱方式大不同，熱性能差異顯著TOLL封裝采用底部散熱方式，熱量需歷經(jīng)“Junction→Case→Solder→PCB→VIAs→PC

MOSFET 仁懋電子封裝
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仁懋中低壓MOS在BMS的應用2025-05-22 17:35

隨著科技不斷進步，越來越多電子產(chǎn)品的電池大部分是鋰電池，鋰電池具有壽命長，能量密度高，體重小，體積小等優(yōu)點受到人們青睞，鋰電池主要組成部分為電芯+BMS保護板，鋰電池有些特性不能過度充放電，短路等等。典型鋰電池電芯單元的額定電壓為3.6V（三元）鐵鋰3.2V（鐵鋰），最大充電結(jié)束電壓為4.2V（三元）3.6-3.8V（鐵鋰），最小放電結(jié)束電壓為2.5V。高放

bms MOS 電池
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全球爆款風扇燈！仁懋40W風扇燈核心器件矩陣2025-05-14 10:51

風扇燈全球爆發(fā)的技術(shù)密碼在亞馬遜、Wayfair等平臺，一款中國設(shè)計的風扇燈正以“靜如羽毛、亮如極光”的極致體驗橫掃歐美市場。-靜音神話：1米處噪音＜28dB（圖書館級靜音），超越傳統(tǒng)吊扇40dB水平；-能效霸權(quán)：通過ERPLot8/DOEVI雙認證，待機功耗＜0.5W；-長壽基因：50,000小時壽命（日均使用8小時可用17年）；-設(shè)計革命：54.71mm

仁懋電子核心器件
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AI電源革命！仁懋氮化鎵如何讓400W服務器電源效率狂飆至98%2025-05-10 12:06

AI算力的“能耗之痛”在AI訓練集群中，單臺服務器功耗已突破4kW，電源系統(tǒng)面臨三重極限挑戰(zhàn)：效率瓶頸：傳統(tǒng)硅器件在高壓PFC段效率僅95%，年損耗電量超10萬度/千臺；散熱危機：電源模塊溫升＞40℃，被迫使用暴力扇散熱，噪音高達55dB；體積桎梏：磁性元件體積占比超60%，制約機架密度提升。仁懋氮化鎵（GaN）解決方案，以“高頻高效、極寒運行”重構(gòu)AI電源

仁懋電子服務器電源氮化鎵
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從型號看實力！仁懋GaN器件命名規(guī)則全解析2025-05-06 17:24

型號背后的技術(shù)密碼仁懋氮化鎵（GaN）器件型號采用"三段式編碼規(guī)則"，通過字母與數(shù)字組合精準傳遞技術(shù)參數(shù)。示例型號：MOTGE65R190Q1.前綴定位技術(shù)路線-GE：增強型（E-mode）氮化鎵-GD：耗盡型（D-mode）氮化鎵技術(shù)差異：E-mode器件無需負壓關(guān)斷，驅(qū)動電路更簡化；D-mode需搭配驅(qū)動IC實現(xiàn)常閉特性。2.耐壓等級標識-65：650V

GaN器件仁懋電子
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靜音省電新標桿！仁懋MOS如何讓家用風扇能效飆升?2025-04-25 10:32

在智能家居普及的今天，消費者對家用風扇的要求早已超越基礎(chǔ)送風功能，面臨的問題如下能效焦慮：傳統(tǒng)MOS導通損耗高，三級能效產(chǎn)品年耗電超50度，電費成本激增；噪音困擾：開關(guān)損耗導致的PWM嘯叫，夜間運行噪音＞35dB；體積桎梏：笨重的電源模塊侵占設(shè)計空間，阻礙超薄化、藝術(shù)化造型；可靠性危機：電壓波動引發(fā)MOS雪崩失效，返修率高達12%。仁懋電子專為智能風扇打造的

MOS 風扇
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告別燒MOS！仁懋大功率水泵電機控制選型指南2025-04-17 14:17

在極端天氣頻發(fā)的當下，灌溉水泵已成為農(nóng)田保收的生命線。然而，行業(yè)調(diào)研數(shù)據(jù)顯示：27%的灌溉系統(tǒng)故障源于MOS管過熱燒毀或浪涌擊穿，傳統(tǒng)器件在惡劣情況下暴露三大短板：高溫降容：環(huán)境溫度＞45℃時，MOS電流承載能力驟降40%；水汽腐蝕：濕度＞80%環(huán)境下，鍵合線銹蝕導致導通電阻（RDS(on)）年漂移超15%；外部影響：外部環(huán)境復雜，對器件抗震動要求高，容易引

仁懋電子灌溉系統(tǒng) 電機控制
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突破100lm/W的幕后英雄！揭秘高光效LED的電源心臟2025-04-10 09:45

當LED光效突破100lm/W，全球照明產(chǎn)業(yè)迎來高光時刻。然而，支撐這束光芒的電源系統(tǒng)卻暗流涌動——23%的LED燈具失效源于MOS管過熱或電壓擊穿，在礦井、化工等極端場景，這一數(shù)字更飆升至58%。仁懋電子推出AC-DC專用MOS矩陣，以“超低損耗、極致安全”重塑LED電源可靠性標準。行業(yè)痛點：光效背后的電源危機熱失控困局：傳統(tǒng)MOS高熱阻，影響50W燈具溫

led 電源
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仁懋MOS產(chǎn)品在電動叉車上的應用2025-04-02 14:22

隨著電動叉車向高效化、輕量化、長續(xù)航方向發(fā)展，功率半導體器件的選擇對系統(tǒng)性能影響顯著。仁懋TOLL封裝的MOSFET憑借其低導通電阻（RDS(on)）、高功率密度、優(yōu)異的熱性能以及緊湊的封裝尺寸，成為電動叉車電力電子系統(tǒng)的理想選擇。仁懋電子深耕動力器件領(lǐng)域，推出MOT7130T4、MOT1113T4、MOT7136T等專用MOS產(chǎn)品，以“超低損耗、極致可靠”

MOS 仁懋電子電動叉車
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仁懋電子產(chǎn)品畫冊上傳時間：2024-05-29 11:41

MOS管仁懋電子智能制造
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仁懋電子

MOT65R950GD

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仁懋電子產(chǎn)品畫冊 上傳時間：2024-05-29 11:41

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