CGH09120F是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶能力而設計，這使得CGH09120F成為MC-GSM、WCDMA和LTE放大器應用的理想選擇。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝，支持寬帶信號處理，尤其適合需要動態頻率調整的系統。它具有UHF-2.5 GHz操作頻率范圍，21 dB增益，20W路面處-38 dBc ACLR，20W鋪面時35%的效率，并且可采用高度DPD校正。
CGH09120F大功率寬帶氮化鎵HEMT
型號：
CGH09120F
