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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFU014PBF-VB-TO251封裝N溝道MOSFET

型號: IRFU014PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 類型 N溝道
  • 額定電壓 60V
  • 最大持續電流 25A
  • 導通電阻 32mΩ @ 10V
  • 門源電壓范圍 20V(正負)
  • 閾值電壓 2.4V
  • 封裝 TO251

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號  IRFU014PBF-VB
絲印  VBFB1630
品牌  VBsemi
參數  
 類型  N溝道
 額定電壓(Vds)  60V
 最大持續電流(Id)  25A
 導通電阻(RDS(ON))  32mΩ @ 10V
 門源電壓范圍(Vgs)  20V(正負)
 閾值電壓(Vth)  2.4V
 封裝  TO251

應用簡介  
IRFU014PBF-VB是一款N溝道場效應晶體管(MOSFET),具有較高的額定電壓和電流承受能力。它適用于需要高電壓和高電流開關的領域,如電源開關、電機控制和工業應用。

詳細參數說明  
1.  類型   這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于開關和調節電路中。

2.  額定電壓(Vds)   它可以承受的最大漏極-源極電壓為60V。這表示在正常工作條件下,其電壓可以達到60V。

3.  最大持續電流(Id)   這款MOSFET的最大電流承受能力為25A。這使它能夠處理高電流負載。

4.  導通電阻(RDS(ON))   RDS(ON)是導通狀態下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為32mΩ,表示在導通狀態下的功耗相對較低。

5.  門源電壓范圍(Vgs)   MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態。

6.  閾值電壓(Vth)   這款MOSFET的閾值電壓為2.4V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。

7.  封裝   這款MOSFET采用TO251封裝,這是一種常見的功率封裝類型,適用于高功率電子應用。

應用領域  
IRFU014PBF-VB這款MOSFET適用于多種需要高電壓和高電流開關的電子模塊和設備,包括但不限于以下領域模塊  

1.  電源開關   可用于高電壓開關電源,如電壓轉換和電源穩定。

2.  電機控制   在電機控制器中用于控制電機的速度和方向,特別是用于工業電機。

3.  電力逆變器   用于逆變器電路,將直流電轉換為交流電,如太陽能逆變器和電力逆變器。

4.  高電壓電源管理   用于高電壓電源管理和電流控制電路,如工業控制系統。

5.  電動工具   在需要高功率和高效能的電動工具中,如電動鉆機和電鋸。

總之,這款N溝道MOSFET適用于需要高電壓和高電流開關的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高功率和工業應用中。

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