型號 FDD4685-VB
絲印 VBE2412
品牌 VBsemi
參數
類型 P溝道
額定電壓（Vds） -40V
最大持續電流（Id） -65A
導通電阻（RDS(ON)） 10mΩ @ 10V
門源電壓范圍（Vgs） 20V（正負）
閾值電壓（Vth） -1.6V
封裝 TO252
應用簡介
FDD4685-VB是一款P溝道場效應晶體管（MOSFET），具有高電流承受能力和低導通電阻。它適用于需要高電流開關的領域，如電源開關、電機控制和電池保護。
詳細參數說明
1. 類型 這是一款P溝道MOSFET，意味著它在輸入負向電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于需要負向電壓操作的電路中。
2. 額定電壓（Vds） 它可以承受的最大漏極-源極電壓為-40V。這表示它可以在負向電壓條件下工作。
3. 最大持續電流（Id） 這款MOSFET的最大電流承受能力為-65A。負號表示電流流向是從源到漏極，這使其能夠處理高電流負載。
4. 導通電阻（RDS(ON)） RDS(ON)是導通狀態下的電阻，它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下，它的RDS(ON)為10mΩ，表示在導通狀態下的功耗非常低。
5. 門源電壓范圍（Vgs） MOSFET的門源電壓范圍為20V，這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態。
6. 閾值電壓（Vth） 這款MOSFET的閾值電壓為-1.6V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。
7. 封裝 這款MOSFET采用TO252封裝，這是一種常見的功率封裝類型，適用于高功率電子應用。
應用領域
FDD4685-VB這款MOSFET適用于多種需要高電流開關的電子模塊和設備，包括但不限于以下領域模塊
1. 電源開關 可用于高電流電源開關，如電壓轉換和電源穩定。
2. 電機控制 在電機控制器中用于控制電機的速度和方向，特別是用于工業電機。
3. 電池保護 可用于電池保護電路，以確保電池不過充電或過放電，同時處理高電流。
4. 高電流負載開關 用于高電流負載的通斷控制，如電動工具、電焊機和電動車輛。
5. 電源管理 在需要高電流開關和電流控制的電源管理電路中使用，如工業控制系統。
總之，這款P溝道MOSFET適用于需要高電流開關的電子模塊和設備，提供電源控制和電流管理的功能，特別是在高電流和高功率應用中。
