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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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STP3NK60ZFP-VB一款N溝道TO220F封裝MOSFET應用分析

型號: STP3NK60ZFP-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO220F封裝

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:STP3NK60ZFP-VB
絲印:VBMB165R04
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 類型:N溝道
- 額定電壓(Vds):650V
- 最大持續(xù)電流(Id):4A
- 導通電阻(RDS(ON)):2560mΩ @ 10V
- 門源電壓范圍(Vgs):20V(正負)
- 閾值電壓(Vth):3.8V
- 封裝:TO220F

應用簡介:
STP3NK60ZFP-VB是一款高壓N溝道場效應晶體管(MOSFET),適用于需要高電壓和低電阻的開關應用,如電源開關、電流控制和逆變器。

詳細參數(shù)說明:
1. **類型**:這是一款N溝道MOSFET,意味著它在輸入正電壓時導通。這種類型的MOSFET通常用于開關和調節(jié)電路中。

2. **額定電壓(Vds)**:它可以承受的最大漏極-源極電壓為650V。這表示它可以在高電壓條件下工作。

3. **最大持續(xù)電流(Id)**:這款MOSFET的最大電流承受能力為4A。這使它能夠處理適度電流負載。

4. **導通電阻(RDS(ON))**:RDS(ON)是導通狀態(tài)下的電阻,它影響MOSFET的功耗和效率。在10V的門源電壓下,它的RDS(ON)為2560mΩ,這表示在導通狀態(tài)下的電阻相對較高,可能會有一定的功耗。

5. **門源電壓范圍(Vgs)**:MOSFET的門源電壓范圍為20V,這表示需要至多20V的電壓來控制它的導通狀態(tài)。

6. **閾值電壓(Vth)**:這款MOSFET的閾值電壓為3.8V。這是啟動MOSFET導通的門源電壓。

7. **封裝**:這款MOSFET采用TO220F封裝,這是一種常見的功率封裝類型,適用于高功率電子應用。

應用領域:
STP3NK60ZFP-VB這款MOSFET適用于多種需要高電壓和低電阻的電子模塊和設備,包括但不限于以下領域模塊:

1. **電源開關**:可用于高電壓開關電源,如電壓轉換和電源穩(wěn)定。

2. **電機控制**:在電機控制器中用于控制電機的速度和方向,特別是用于工業(yè)電機。

3. **電力逆變器**:用于逆變器電路,將直流電轉換為交流電,如太陽能逆變器和電力逆變器。

4. **高壓電源管理**:用于高電壓電源管理和電流控制電路,如工業(yè)控制系統(tǒng)。

5. **電動工具**:在需要高壓和低電阻的電動工具中,如電動鉆機和電鋸。

總之,這款高壓N溝道MOSFET適用于需要高電壓和低電阻的電子模塊和設備,提供電源控制和電流管理的功能,特別是在高壓和高功率應用中。
 

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