型號：TN0200TS-T1-E3-VB
絲印：VB1240
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 最大耐壓：20V
- 最大持續(xù)電流：6A
- 開通電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5Vgs、33mΩ @ 2.5Vgs
- 閾值電壓（Vth）：0.45V 到 1V 可調(diào)
- 封裝類型：SOT23

應(yīng)用簡介：
TN0200TS-T1-E3-VB是一款N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），適用于多種電子應(yīng)用，具有低電阻和適度的電壓和電流承受能力。以下是它的一些主要應(yīng)用領(lǐng)域：

1. 電源管理模塊：這款MOSFET適用于低功率電源管理模塊。它可以用于開關(guān)穩(wěn)壓器、電源適配器和直流-直流變換器等應(yīng)用中，有助于提供高效率和穩(wěn)定的電源輸出。

2. 電池保護(hù)模塊：由于其適度的電流承受能力和低電阻，它可以用于電池保護(hù)模塊，確保電池在充電和放電時的安全性和性能。

3. 信號開關(guān)：TN0200TS-T1-E3-VB也可用于信號開關(guān)和電路保護(hù)，用于控制和管理信號通路，例如在通信設(shè)備、音頻放大器和控制電路中。

4. 低電壓電路：由于其低電阻和可調(diào)閾值電壓，這款MOSFET特別適用于低電壓電路中，例如移動設(shè)備、便攜式電子設(shè)備和低功耗應(yīng)用。

總之，TN0200TS-T1-E3-VB是一款適用于低功率電子應(yīng)用的N溝道MOSFET，特別適用于電源管理、電池保護(hù)、信號開關(guān)和低電壓電路等領(lǐng)域。它在小型電子設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中具有廣泛的用途。