型號：FDY3000NZ-VB
絲印：VBTA3230NS
品牌：VBsemi

參數(shù)說明：
- **雙N溝道：** 該器件包含兩個N溝道MOSFET，電流在N溝道中流動，適用于不同類型的應(yīng)用，如電源開關(guān)等。
- **工作電壓（VDS）：** 20V，表示MOSFET的耐壓上限，適用于中低電壓電路。
- **持續(xù)電流（ID）：** 0.2A，表示MOSFET可以承受的最大電流。
- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON))：** 300mΩ @ 4.5V，350mΩ @ 2.5V，20Vgs(±V)，表示MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)時的電阻，這兩個值分別對應(yīng)不同的柵極電壓。
- **閾值電壓（Vth)：** 0.3V，表示MOSFET進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的柵極電壓。
- **封裝：** SC75-6，這是一種小型表面貼裝封裝。

應(yīng)用簡介：
這種雙N溝道MOSFET適用于多種低功率電子應(yīng)用，包括但不限于：

1. **電源開關(guān)：** 用于低功率電源開關(guān)電路，如小型DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理單元。

2. **電池保護(hù)：** 用于小型電池保護(hù)電路，以控制電池充電和放電，防止過電流和過壓。

3. **信號開關(guān)：** 用于小型信號開關(guān)電路，如信號放大器、音頻放大器和小型傳感器接口。

4. **LED驅(qū)動器：** 用于低功率LED照明應(yīng)用，以實現(xiàn)高效的LED燈光控制。

5. **便攜式設(shè)備：** 在小型便攜式電子設(shè)備中，如智能手表、耳機和傳感器模塊中，用于電源管理和信號開關(guān)。

這種雙N溝道MOSFET適用于需要低功率N溝道器件的電子電路，提供可靠的電流控制和開關(guān)性能，通常用于低功率電子領(lǐng)域以提高效率和性能。