型號(hào): STD35NF06LT4-VB
絲印: VBE1615
品牌: VBsemi
參數(shù): N溝道, 60V, 60A, RDS(ON) 9mΩ @ 10V, 11mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V); 1.87Vth (V)
封裝: TO252

詳細(xì)參數(shù)說明和應(yīng)用簡(jiǎn)介：
1. 溝道類型：N溝道
  - 這表示這個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是一種N溝道MOSFET，通常用于負(fù)載開關(guān)和功率放大器。

2. 額定電壓 (VDS)：60V
  - 這是溝道MOSFET能夠承受的最大電壓，超過這個(gè)電壓可能導(dǎo)致器件損壞。

3. 額定電流 (ID)：60A
  - 這是溝道MOSFET的額定電流，表示它可以處理的最大電流負(fù)載。

4. 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON))：
  - RDS(ON)是溝道MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻。在10V的情況下，它的電阻為9mΩ，而在4.5V的情況下為11mΩ。這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，它的電阻非常低，使其在高電流負(fù)載中能夠有效地減小功耗和熱量。

5. 閘源閾值電壓 (Vth)：1.87V
  - Vth是溝道MOSFET的閾值電壓，即需要應(yīng)用到柵極上的電壓，以使器件開始導(dǎo)通。在這種情況下，閾值電壓為1.87V。

6. 柵源電壓額定值 (Vgs)：20V (±V)
  - 這表示柵源電壓的額定范圍為正負(fù)20V。這是用來控制溝道MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)。

應(yīng)用簡(jiǎn)介：
這種型號(hào)的N溝道MOSFET通常用于各種電子和電源應(yīng)用中，包括但不限于：
1. 電源開關(guān)：它可以用于電源開關(guān)模塊，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器，以有效地管理和控制電能的流動(dòng)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：在電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，這種MOSFET可以用來控制電機(jī)的速度和方向。
3. 電源放大器：它可以用作功率放大器，增強(qiáng)電信號(hào)的幅度，通常在音頻放大器中使用。
4. 電源管理：用于電源管理系統(tǒng)中，以實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定化。

總之，這種型號(hào)的MOSFET可用于多種領(lǐng)域的電子設(shè)備和模塊，以滿足功率開關(guān)和控制的需求。