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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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HUF75321D3ST-VB場效應管一款N溝道TO252封裝的晶體管

型號: HUF75321D3ST-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:HUF75321D3ST-VB
絲印:VBE1638
品牌:VBsemi
參數:
- 溝道類型:N溝道
- 額定電壓:60V
- 最大持續電流:45A
- 靜態導通電阻 (RDS(ON)):24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth):1.8V
- 封裝:TO252

詳細參數說明:
HUF75321D3ST-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)器件,具有 60V 的額定電壓和最大持續電流為 45A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現出色良好,分別為 24mΩ @ 10V 和 28mΩ @ 4.5V。此外,它的閾值電壓(Vth)為 1.8V。

應用簡介:
HUF75321D3ST-VB 是一種高性能的 N 溝道 MOSFET,適用于多種電路應用,特別適用于需要高電流和高電壓應用。它通常用于電源開關、電機控制、電源轉換器、電源逆變器、電池保護電路和其他需要高性能 MOSFET 的領域的模塊。TO252 封裝使其適用于各種應用,如工業控制、電源放大器、電動工具、電動汽車和其他高功率應用。這種型號的 MOSFET 具有低導通電阻和高電流承受能力,可提供卓越的性能和高效率,是需要高功率開關的應用的理想選擇。

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