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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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MTB50P03HDLT4G-VB一款P溝道TO263封裝MOSFET應用分析

型號: MTB50P03HDLT4G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 TO263封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**MTB50P03HDLT4G-VB 詳細參數說明:**

- **品牌:** VBsemi
- **絲印:** VBL2309
- **封裝:** TO263
- **參數:** 
 - P—Channel溝道
 - 額定電壓:-30V
 - 最大電流:-75A
 - RDS(ON):8mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓(Vth):-2V

**應用簡介:**

MTB50P03HDLT4G-VB是一款TO263封裝的P—Channel溝道場效應晶體管,適用于高電流和中等電壓的功率開關和放大應用。

**領域模塊及作用:**

1. **電源開關:** 用于高電流電源模塊的功率開關,提供可靠的電源開關解決方案。

2. **電機驅動:** 適用于大功率電機控制,例如在電動工具和工業機械中的電機驅動系統。

3. **電子變換器:** 適用于電子變換器,如電源適配器和照明系統中的功率開關。

**使用注意事項:**

1. **電壓和電流限制:** 不要超過規定的最大電壓和電流,以防止器件損壞。

2. **溫度控制:** 在操作過程中保持適當的溫度,避免過熱。

3. **靜電防護:** 在處理和安裝時采取防靜電措施,以防止靜電損害。

4. **閾值電壓:** 確保正確的閾值電壓,以確保器件在正常工作范圍內。

以上信息僅供參考,具體應用需根據實際情況調整。

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