**產品型號：** 3LP01S-VB
**絲印：** VB264K
**品牌：** VBsemi
**參數：**
- 封裝：SOT23
- 溝道類型：P—Channel
- 最大漏電壓（VDS）：-60V
- 最大漏電流（ID）：-0.5A
- 開通電阻（RDS(ON)）：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：-1.87V
**應用簡介：**
3LP01S-VB是一款P—Channel溝道的場效應晶體管，采用SOT23封裝。其主要特點包括最大漏電壓為-60V，最大漏電流為-0.5A，具有低開通電阻（RDS(ON)）等性能。該產品適用于需要負載開關的電路和模塊。
**適用領域和示例應用：**
1. **電源管理模塊：** 由于3LP01S-VB具有較低的開通電阻和P—Channel溝道的特性，可在電源管理模塊中用作電源開關，提高整體電路的效率。
2. **電池保護回路：** 在需要對電池進行過放電保護的應用中，3LP01S-VB可以作為電池保護回路中的關鍵組件，確保電池的安全使用。
3. **低功耗電子設備：** 由于其低閾值電壓和低漏電流的特性，適用于一些對功耗要求較為嚴格的低功耗電子設備，如便攜式設備、傳感器模塊等。
總體而言，3LP01S-VB適用于需要P—Channel溝道場效應晶體管的電路和模塊，特別是在一些對功耗、效率和電源管理要求較高的領域中發揮著重要作用。
