**J168-VB Transistor**

- **絲印（Silkscreen）:** VB264K
- **品牌（Brand）:** VBsemi
- **參數（Parameters）:**
 - 封裝類型（Package Type）: SOT23
 - 溝道類型（Channel Type）: P—Channel
 - 最大承受電壓（Maximum VDS）: -60V
 - 最大漏極電流（Maximum ID）: -0.5A
 - RDS(ON)：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
 - 閾值電壓（Threshold Voltage）: -1.87V

- **封裝（Package）:** SOT23

**詳細參數說明和應用簡介：**

J168-VB是一款P—Channel溝道MOSFET，采用SOT23封裝。其最大承受電壓為-60V，最大漏極電流為-0.5A。在VGS=10V和VGS=20V時，RDS(ON)分別為3000mΩ，閾值電壓為-1.87V。

**應用領域和示例：**

1. **電源開關模塊：** 適用于電源開關模塊，例如在電子設備中用作電源開關，以實現高效的電源管理。

2. **DC-DC變換器：** 可用于DC-DC變換器模塊，有助于提高電能轉換效率。

3. **電池管理系統：** 在需要P—Channel MOSFET進行電池管理的場景中，如過放電保護和充電控制。

4. **模擬信號開關：** 由于其高承受電壓和較低的漏極電流，適用于模擬信號開關，用于信號放大電路。

5. **LED照明控制：** 在LED照明系統中，可用于控制LED燈的亮度和開關。

請注意，以上示例僅為參考，實際應用可能因具體設計要求而異。在設計中，請始終參考數據手冊和規格說明以確保正確使用和性能。