K3576-T1B-A-VB是VBsemi品牌的N-Channel溝道MOSFET，采用SOT23封裝。主要參數包括工作電壓20V、電流承受能力6A、導通電阻RDS(ON)=24mΩ（在VGS=4.5V，VGS=8V時）、閾值電壓Vth范圍為0.45~1V。
這款MOSFET適用于高性能開關和放大的電路設計。在電源管理、電池管理、DC-DC轉換器等領域中，K3576-T1B-A-VB可以用于提高系統的效率和性能，降低功耗。其SOT23封裝適用于小型電子設備和電路板，具有體積小、性能卓越的特點。
在電源模塊、電池管理模塊和功率控制模塊中，K3576-T1B-A-VB可用于實現高效能的電源開關和信號放大，應用廣泛。其可靠性和高性能使其成為電子設備中常見的元器件之一。
