AD669SQ/883B DACPORT?是一款完整的16位單芯片DAC，內置一個片上基準電壓源和輸出放大器。它采用ADI公司的BiMOS II工藝制造。該工藝允許在與高精度雙極線性電路相同的芯片上制造低功率CMOS邏輯功能。AD669芯片包括電流開關、解碼邏輯、輸出放大器、嵌入式齊納基準電壓源和雙緩沖鎖存器。
AD669SQ/883B 的架構可確保整個溫度范圍內的15位單調性。積分非線性保持在0.003%，而微分非線性最大為0.003%。對于滿量程步進，片內輸出放大器提供10 ms的電壓輸出建立時間，精度在1/2 LSB以內。
數據以并行16位格式載入AD669。雙緩沖鎖存結構消除了數據偏斜誤差，并支持多DAC系統中DAC的同步更新。三個TTL/LSTTL/5 V CMOS兼容信號控制鎖存器:特許測量員,腰神經2和LDAC.
AD669的輸出范圍可通過引腳編程設置，提供0 V至+10 V的單極性輸出范圍或-10 V至+10 V的雙極性輸出范圍。
AD669分為七個等級:AN和BN版本的額定溫度范圍為-40°C至+85°C，采用28引腳塑封DIP封裝。AR和BR版本的額定工作溫度范圍為-40°C至+85°C，采用28引腳SOIC封裝。SQ版本的額定溫度范圍為-55°C至+125°C，采用28引腳密封cerdip封裝。AD669還符合MIL-STD-883標準。有關規格和測試條件，請參考AD669/883B數據手冊。
AD669SQ/883B 詳情概述：
AD669SQ/883B 是一款完整的電壓輸出16位DAC，在單IC芯片上集成基準電壓源和數字鎖存。
內部嵌入式齊納基準電壓經過激光調整至10.000，最大誤差為0.2%。基準電壓也可用于外部應用。
AD669具有直流和交流額定性能。DC規格包括1 LSB INL誤差和1 LSB DNL誤差。交流規格包括0.009% THD+ N和83 dB SNR。交流規格使AD669適合信號產生應用。
AD669上的雙緩沖鎖存器消除了數據偏斜誤差，同時允許同步更新多DAC系統中的DAC。
輸出范圍為引腳可編程的單極性0 V至+10 V或雙極性–10V至+10 V輸出。無需外部元件即可設置所需的輸出范圍。
AD669SQ/883B 特點與優勢：
自動校準
片內采樣保持功能
并行輸出格式
16位無失碼
1 LSB INL
–97分貝總諧波失真
90 dB S/(N+D)
1 MHz全功率帶寬
RFSA2023
50 - 6000 MHz、3.3 V 壓控衰減器
RFSA2023
關鍵性能
- 專利電路架構
- 寬帶 50MHz 至 6000MHz 頻率范圍
- 30dB衰減范圍
- +50dBm IIP3 典型值
- +80dBm IIP2 典型值
- 高1dB壓縮點>+30dBm
- 低電源電流（典型值 1mA）
- 3.3V電源
- 線性 dB 控制特性
- 內部溫度補償
- 1C 類 ESD（1000V）
- 采用小型 3mm x 3mm QFN 封裝的完整解決方案
- 5V 部件可用 RFSA2013
Qorvo 的 RFSA2023 是一款全單片模擬壓控衰減器 (VCA)，在典型的溫度補償 30dB 增益控制范圍內具有出色的線性度。它采用了革命性的新型電路架構，解決了長期存在的行業問題：高IP3、高衰減范圍、低直流電流、寬帶寬和溫度補償線性dB控制電壓特性。該壓控衰減器由帶有片上直流調節電路的單個正控制電壓控制。控制電壓與增益的斜率是可選擇的。 RFSA2023 消耗非常低的 1mA 電流，并采用小型 3mm x 3mm QFN 封裝。該衰減器在其額定控制范圍和頻率上匹配 50 歐姆，無需外部匹配組件。典型的 VCA'此性能類別中的器件具有較差的固有衰減與溫度關系以及較差的非線性衰減與控制電壓特性。為了糾正這些缺點，其他 VCA 需要大量片外模擬支持電路，這會消耗寶貴的 PCB 面積和額外的直流電源。這款改變游戲規則的產品將完整的解決方案融入小型 3mm x 3mm QFN 封裝中，與傳統 PIN 二極管方法相比，占地面積減少了 20 倍，直流功率減少了 10 倍。這款改變游戲規則的產品將完整的解決方案融入小型 3mm x 3mm QFN 封裝中，與傳統 PIN 二極管方法相比，占地面積減少了 20 倍，直流功率減少了 10 倍。這款改變游戲規則的產品將完整的解決方案融入小型 3mm x 3mm QFN 封裝中，與傳統 PIN 二極管方法相比，占地面積減少了 20 倍，直流功率減少了 10 倍。
