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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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MGSF1N02LT3G-VB一款N—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): MGSF1N02LT3G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 N—Channe

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

MGSF1N02LT3G-VB是VBsemi生產(chǎn)的SOT23封裝的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。以下是詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡(jiǎn)介:

- 參數(shù):
 - 額定電壓:20V
 - 額定電流:6A
 - RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
 - 閾值電壓:0.45~1V

- 應(yīng)用簡(jiǎn)介:
 - 適用于需要N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電路和模塊。
 - 可用于電源管理、功率放大和開關(guān)電源等應(yīng)用。

- 領(lǐng)域和模塊應(yīng)用:
 - 電源管理模塊
 - 電流控制模塊
 - 開關(guān)電源模塊
 - 電流放大器模塊

該器件適用于需要高性能N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電子設(shè)備,特別是在電源管理和功率控制領(lǐng)域。

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