品牌：VBsemi
型號：MMDF3N04HDR2G-VB
封裝：SOP8
絲印：VBA3638

詳細參數說明：
- 通道類型：2個N溝道MOSFET
- 額定工作電壓：60V
- 最大連續漏極電流：6A
- 漏極-源極導通電阻：27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：1.5V

應用簡介：
MMDF3N04HDR2G-VB是一款雙N溝道MOSFET，適用于各種功率電路中的開關控制和功率調節。其特點包括低漏極-源極導通電阻、高額定工作電壓和較大的連續漏極電流，適用于各種高效能的電源管理和功率放大應用。

舉例說明：
1. 電源管理模塊：該MOSFET可用于開關電源、DC-DC變換器和逆變器等電源管理模塊中，用于控制和調節電流，提高電源效率。
2. 汽車電子模塊：適用于汽車電子模塊中的驅動控制、電動車輛充電樁和電池管理系統等應用，提高系統的穩定性和安全性。
3. 工業自動化模塊：可用于工業自動化領域的電機驅動、變頻器和電源逆變器等模塊，提高設備的性能和可靠性。