近年來，RF領域毫米波頻帶的技術發布激增，在今年的發布中，除了電路技術本身的進步之外，支持新用途的方案以及只有毫米波才能實現的電路技術方案備受關注。在Session 23“mm-Wave Transceivers，Power Amplifiers & Sources”上，索尼、美國加州理工學院（California Institute of Technology）共同發布了連接輸入輸出設備用56GHz收發電路，美國加州大學伯克利分校（UC Berkeley）、意大利帕多瓦大學（University of Padova）和意法半導體（STMicroelectronics）共同提出了用開關控制片上天線的90GHz頻帶發送電路，除了這些新系統的方案之外，德國烏泊塔爾大學（University of Wuppertal）還發布了160GHz頻帶收發電路和成像陣列用650GHz接收電路，會上共有9項發布。

在一開始索尼的技術發布（演講序號23.1）中，報告了可用56GHz頻帶近距離無線通信實現用于連接高清電視等設備的11Gbit/秒數據傳輸速度。40nm工藝CMOS收發電路和基于引線鍵合（Wire Bonding）的天線，在6.4pJ/bit的電力條件下，實現了1.4cm距離范圍內的通信?！跋鄬τ谟芯€傳輸方式在數據轉發速度提高時，因充放電容量較大，會受到低功耗的限制而言，無線傳輸方式更有利于降低功耗”，這一觀點在會場引發了熱烈的討論，體現了對這一領域的關注度之高。

德國烏泊塔爾大學的發布（演講序號23.2）報告了使用0.13μm工藝SiGe BiCMOS技術的160GHz頻率正交型直接變頻收發電路。振蕩器可使其在相當于收發頻率1/3的52GHz到55GHz之間振蕩，提高3倍之后產生局域信號。

芬蘭赫爾辛基理工大學（Helsinki University of Technology）發布的技術（演講序號23.3），與采用65nm工藝CMOS技術的77-94GHz頻帶8GHz IF信號圖象載頻抑制（Image Rejection）型發送電路有關。輸出功率為6.6dBm時，圖像載頻抑制量達到了15-20dB。

加州大學伯克利分校等發布了醫療用脈沖雷達發送電路（演講序號23.4）。該電路采用了0.13μm工藝BiCMOS技術，對90GHz的載波進行脈沖調制時，除了可啟功率放大器之外，片上天線也設置了開關，實現了35ps的脈沖。該技術方案充分利用了天線也可片上化的毫米波頻帶特點。

意大利摩德納雷焦艾米利亞大學（University of Modena and Reggio Emilia）等發布了以115GHz的頻率工作，調諧范圍可寬達13.1％的注入鎖定（Injection Lock）型2倍頻電路（演講序號23.5）。通過采用Push-Push型電路，以及充分確保注入信號的方法，使調諧范圍達到了原來的3～5倍。

此外，還有接連3項60GHz頻帶放大器技術發布。首先***聯發科技（MediaTek）和美國IBM發布了采用65nm工藝CMOS技術，可在1V電源下輸出17.9dBm功率的60GHz頻帶放大器（演講序號23.6）。這種放大器采用前級兩并聯、中級及后級四并聯的3級構成，合波器由轉換器構成。

美國加州大學戴維斯分校（University of California Davis）發布了采用90nm工藝CMOS技術，可在1.2V電源下輸出19.9dBm功率的60GHz頻帶放大器（演講序號23.7）。這種放大器采用前級、2級兩并聯、3級及后級四并聯的4級構成，分波器和合波器全部采用Wilkinson型電路。

意法半導體等發布了可在1.2及1.8V電源下輸出18.1dBm功率的60GHz頻帶放大器（演講序號23.8）。這種放大器由8個采用2級構成的單個放大器并聯而成。2級構成的單個放大器為差分放大器，可由轉換器進行信號差分轉換，實現各級之間的統一。

最后，烏泊塔爾大學發布了與適用THz成像的650GHz接收電路有關的技術（演講序號23.9）。這種電路采用了0.13μm工藝SiGe BiCMOS，可在雙極晶體管中添加650GHz信號和頻率約為其1/4的信號，從而產生100MHz頻帶IF信號。轉換增益為-13dB，噪聲指數為42dB。盡管電路的基本運行仍在確認，但該大學對650GHz頻率的挑戰值得一提。

從整體來看，各項技術的模擬數據和實測數據均非常一致，令人感到毫米波頻帶技術設計精度的不斷提高。另外，受益于設計精度的提高，尤其是被動元件設計的不斷進步，正如序號為23.6、23.7及23.8所描述的那樣，與原來相比，對最大輸出功率的提高作出了貢獻。要實現毫米波系統，雖然需要集成電路設計的進步，但同樣需要包含封裝技術在內的相關技術不斷進步。與去年相同，今年也發布了很多片上評測技術，期待今后能夠發布更多包含封裝技術在內的相關技術。