TechInsights的研究人員針對采用XPoint技術(shù)的英特爾Optane內(nèi)存之制程、單元結(jié)構(gòu)與材料持續(xù)進(jìn)行深入分析與研究。

　　英特爾（Intel）和美光（Micron）在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以來的首款新型態(tài)內(nèi)存技術(shù)。2016年，英特爾發(fā)布采用3D XPoint技術(shù)的Optane品牌儲存產(chǎn)品 ，成為該技術(shù)最先上市的新一代高性能固態(tài)硬盤（SSD）系列。

　　根據(jù)TechInsights的材料分析，XPoint是一種非揮發(fā)性內(nèi)存（NVM）技術(shù)。位儲存根據(jù)本體（bulk）電阻的變化，并結(jié)合可堆棧的跨網(wǎng)格數(shù)據(jù)存取數(shù)組。其價格預(yù)計將會 較動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）更低，但高于閃存。

　　TechInsights最近取得了英特爾Optane M.2 80mm 16GB PCIe 3.0并加以拆解，在封裝中發(fā)現(xiàn)了一個3D X-Point內(nèi)存芯片。這是英特爾和美光的首款商用化3D Xpoint產(chǎn)品。英特爾3D X-Point內(nèi)存的封裝尺寸為241.12mm2（17.6mm x 13.7mm），其中并包含X-Point記體晶粒。該3D X-Point晶粒尺寸為mm2（16.6mm x 12.78mm）。

　　圖1：Xpoint內(nèi)存封裝與晶粒（16B）圖 （來源：英特爾3D XPoint、TechInsights）

　　TechInsights的進(jìn)一步分析確定，英特爾Optane XPoint內(nèi)存芯片的每顆晶粒可儲存128Gb，較目前2D與3D TLC NAND商用產(chǎn)品的儲存密度略低，如圖1所示。美光 （Micron） 32L 3D FG CuA TLC NAND的每顆晶粒內(nèi)存密度為2.28Gb/mm2，三星（Samsung） 48L TLC V-NAND為2.57Gb/mm2，東芝（Toshiba）/WD 48L BiCS TLC NAND為 2.43Gb/mm2，而海力士（SK Hynix）36L P-BiCS MLC NAND則為1.45Gb/mm2。相形之下，英特爾的Optane XPoint的內(nèi)存密度為0.62Gb/mm2。