LED材料在住宅領(lǐng)域的目標(biāo)成本敏感替代應(yīng)用

　　在硅（氮化鎵硅）發(fā)光二極管上的氮化鎵有望成為降低LED價(jià)格的關(guān)鍵，足以扭轉(zhuǎn)成本敏感的住宅市場的潮流。正在進(jìn)行的研究工作開始產(chǎn)生成果，而使用傳統(tǒng)的藍(lán)寶石藍(lán)寶石材料的制造商也成功地降低了成本。

　　本文將概述硅在GaN的最新發(fā)展，以及它的潛力，利用高容量，更大的晶圓尺寸，半導(dǎo)體加工技術(shù)，以提供更低的生產(chǎn)成本。在英國，普列斯半導(dǎo)體是使用氮化鎵上硅晶片LED第一生產(chǎn)商。Cree公司，同時，是一個先驅(qū)在GaN對SiC材料的LED市場。他們最新的TW（真白）系列LED燈泡正在美國設(shè)定標(biāo)準(zhǔn)。

　　我們將審查公司包括Cree、ROHM、和LEDdynamics選擇一些基于LED的更換燈泡、燈管，針對改造市場在住宅領(lǐng)域。

　　Figure 1： Left： Cree’s latest TW 60 W bulb replacement uses GaN on SiC LEDs. Right： LEDdynamics’ EverLED TR range of LED replacement tubes incorporating Philips Lumileds Luxeon LEDs.

　　Commercial advantage vs. technical challenge

　　Gallium Nitride （GaN） has been commonly used for LEDs since the 1990s. Its hardness， heat capacity， and thermal conductivity properties were critical for the development of the high brightness， daylight visible， color， and white devices in widespread use today. Yet despite the compelling features of LEDs， unit costs remain a barrier in some consumer sectors. The huge attraction of developing Gallium Nitride on Silicon substrates for LED chips is to reduce production costs. According to market research company， Lux Research， in a recent report，1 material costs of GaN on Si represent just one-eighth of those of traditional sapphire substrates.