資料介紹
從第一個晶體管問世算起,半導體技術的發展已有多半個世紀了,現在它仍保持著強勁的發展態勢,繼續遵循 Moore 定律即芯片集成度18個月翻一番,每三年器件尺寸縮小0.7倍的速度發展。大尺寸、細線寬、高精度、高效率、低成本的IC生產,正在對半導體設備帶來前所未有的挑戰。
集成電路在制造過程中經歷了材料制備、掩膜、光刻、清洗、刻蝕、滲雜、化學機械拋光等多個工序,其中尤以光刻工藝最為關鍵,決定著制造工藝的先進程度。隨著集成電路由微米級向鈉米級發展,光刻采用的光波波長也從近紫外(NUV)區間的436nm、365nm波長進入到深紫外(DUV)區間的248nm、193nm波長。目前大部分芯片制造工藝采yong了 248nm 和 193nm 光刻技術。目前對于 13.5nm 波長的 EUV 極端遠紫外光刻技術研究也在提速前進。
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