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用脈沖激光(Nd:YAG 激光)沉積技術(shù)在硅基上沉積富硅SiO2薄膜(SiOx,x<2)，沉積時(shí)氧氣壓力分別為1.33，2.66，3.99，5.32，6.65，7.98Pa，膜的厚度約為300nm。隨后，在氬(Ar)氣中1000℃的溫度下對(duì)沉積的SiOx薄膜進(jìn)行熱退火處理30min，使在SiO2薄膜中生長(zhǎng)出硅納米晶。用光譜分析儀分析其在室溫下的光致發(fā)光(PL)光譜時(shí)發(fā)現(xiàn)，隨著沉積氧氣壓力的增強(qiáng)，峰值波長(zhǎng)在減小(即藍(lán)移),表明納米晶硅顆粒在減小；同時(shí)，在本研究中的制作條件下，PL強(qiáng)度與沉積氧氣壓力有較強(qiáng)的依存關(guān)系，在2.66-3.99Pa的氧氣壓力條件下沉積制作的試樣，得到最大的PL強(qiáng)度。
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