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- 低漏源導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）： TK49N65W5在標(biāo)準(zhǔn)條件下（VGS = 10 V, ID = 24.6 A）的典型RDS(ON)值僅為0.051 Ω。這種低電阻確保了操作期間的功率損耗最小化，對于高效能電源和轉(zhuǎn)換器至關(guān)重要。
- 快速反向恢復(fù)時間： TK49N65W5的典型反向恢復(fù)時間（trr）為145 ns，非常適合高速開關(guān)應(yīng)用。這一特性降低了開關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)的整體效率，非常適用于需要快速響應(yīng)時間的電力電子產(chǎn)品。
- 高電壓和電流處理能力： 該MOSFET可以承受高達(dá)650 V的漏源電壓（VDSS）和在25°C下49.2 A的連續(xù)漏電流（ID）。這些規(guī)格使其在廣泛的高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色，包括工業(yè)電源、馬達(dá)驅(qū)動和可再生能源系統(tǒng)。
- 熱性能： TK49N65W5具備優(yōu)異的熱特性，其通道到殼體的熱阻（Rth(ch-c)）為0.313°C/W。這種特性使得熱量可以有效散發(fā)，確保MOSFET即使在高負(fù)載條件下也能可靠運(yùn)行。
- 增強(qiáng)型工作模式： 該MOSFET的柵極閾值電壓（Vth）范圍為3到4.5 V，易于控制和集成到各種柵極驅(qū)動電路中。對于需要精確控制MOSFET開關(guān)的復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計，這一靈活性非常有利。
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